晶體管

       晶體管有點(diǎn)復雜。它們就像一個(gè)單向的門(mén)，由守門(mén)人打開(kāi)和關(guān)閉。想象一下，閘門(mén)是由一個(gè)小閥門(mén)控制的液壓缸驅動(dòng)的，這個(gè)閥門(mén)很容易被守門(mén)人切換。守門(mén)人控制人們通過(guò)門(mén)的力所需的少量力就像晶體管的電子增益。人們對關(guān)閉的柵極所施加的壓力就像施加在晶體管上的電壓一樣。柵極開(kāi)口的大小限制了人們通過(guò)另一邊的速度，就像晶體管的大小限制了它所能傳導的最大電流一樣。

       要使晶體管在感應加熱應用中有用，它必須（1）阻止高壓，（2）通過(guò)大電流，（3）仍然能夠很快地打開(kāi)和關(guān)閉。使用這些要求中的一到兩個(gè)來(lái)構建一個(gè)門(mén)并不是一個(gè)問(wèn)題。要提供所有三個(gè)一體的設計時(shí)相當困難的。大而堅固的大門(mén)很難迅速打開(kāi)和關(guān)閉，快速移動(dòng)的大門(mén)必須是輕的，因此不堅固等等。晶體管的符號和波形如圖所示。

        在IGBT（絕緣柵雙極晶體管）中，將兩種晶體管技術(shù)結合起來(lái)，獲得高電壓、大電流和快速打開(kāi)速度。雙極晶體管能夠處理相對較高的電壓和大電流，從1970年起就已經(jīng)開(kāi)始使用，但它們的開(kāi)關(guān)速度很慢，需要高功率的控制信號。小的功率MOSFET晶體管，具有非?？斓拈_(kāi)關(guān)速度和低功率控制要求，也已經(jīng)存在了很對年，將這兩種技術(shù)與MOSFET(絕緣柵極技術(shù)）放在控制和功率處理端的雙極上，IGBT中就有了最好的技術(shù)。

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